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原里：可根據硅、鍺多晶硅的轉移率、電容率和硫氰酸鹽濃硫酸酸度的的關系，可直接的預估、計算出來出晶狀體內的硫氰酸鹽濃硫酸酸度。  
適用于位置：它是和于校正橫剖面寸尺是可校正的，且棒的大小多于橫剖面線度的有要求的長棒，隨后橫段面為弧形、長矩形形、長長矩形或梯型的多晶硅或多晶錠。  
的主要用途：會按照自動校正沿錠長鈣鎂離子殘渣有機廢氣氧化還原電位的分布點系統簡單影響廠品的達標環節，完成鈣鎂離子殘渣有機廢氣氧化還原電位的簡單自動校正，簡單影響結晶體出現流程中的夾雜著需求量。  
印刷品可在恒溫或溫度下在線測量。  
表明的方法：設備去連接PC機，經過檢測軟件計算出，用對數計算地圖坐標的的方法來表明溶物溶度（含次方數）沿錠長的分散折線，可對折線圖去印刷和存為。  
測量范圍內： 可測晶狀體內阻率：0.005-3000Ω·cm。  
直流電阻值(zhi)數子電阻值(zhi)表精(jing)確測量區(qu)域：0-199.99mV，精(jing)確度度：10μA。